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【今年會官網科技消息】近日，據韓媒報道，SK海力士已將位于韓國清州的M15X新工廠（被譽為“HBM4專用工廠”）的量產時間表大幅提前4個月，計劃于明年2月開始投入用于HBM4的1b納米制程DRAM量產晶圓，原定時間為6月。初期產能約1萬片晶圓，并計劃在年底前擴大至數萬片規模。目前，相關生產設備正在加緊投入與安裝。
這一激進舉措被普遍解讀為SK海力士針對核心客戶英偉達的需求做出的先發應對。英偉達下一代AI加速器“Rubin”預計將于明年下半年出貨，其性能提升的關鍵在于搭載新一代的HBM4內存。SK海力士已于去年9月率先完成HBM4客戶樣品開發并交付英偉達，目前正與英偉達及代工廠臺積電緊密合作，進行基于先進封裝技術CoWoS的系統集成與優化測試，以確保GPU與HBM4在信號時序、功耗和散熱上的完美協同。
與此同時，全球HBM市場競爭日趨激烈。三星電子也已向英偉達提供HBM4樣品，目前正處于優化測試階段；美光則宣稱其明年HBM4產能已被全部預訂。內存三巨頭圍繞英偉達Rubin平臺訂單的爭奪已全面展開。
據悉，英偉達最終供應商選定及份額分配結果預計將于明年初揭曉，功耗效率、發熱穩定性、良率及大規模供應能力將成為關鍵評估指標。三星電子近期正全力提升其HBM工藝良率，以期在競爭中贏得優勢。
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